Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -1.3A | 0.5W | SuperSOT-3

EB Koodi: EB669416673

Valmistajan tuotekoodi: 
FDN352AP

Valmistaja, merkki: 
ONSEMI

 0,72 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-1.3A
Power dissipation0.5W
CaseSuperSOT-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.4Ω
MountingSMD
Gate charge1.9nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor deviceslogic level