Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 4A | Idm: 16A | 30W | PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 4A | Idm: 16A | 30W | PG-TO252-3
EB Kodas: EB1593851885
Gamintojo prekės kodas: IPD60R600P7SAUMA1
Gamintojo prekės kodas:
IPD60R600P7SAUMA1
Gamintojas, prekės ženklas: INFINEON TECHNOLOGIES
Gamintojas, prekės ženklas:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,68 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | CoolMOS™ P7 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 4A |
Pulsed drain current | 16A |
Power dissipation | 30W |
Case | PG-TO252-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.6Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 9nC |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |