Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -100V | -76A | 298W | 70ns
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -100V | -76A | 298W | 70ns
EB Kodas: EB391976030
Gamintojo prekės kodas: IXTH76P10T
Gamintojo prekės kodas:
IXTH76P10T
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
11,45 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchP™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -76A |
Power dissipation | 298W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±15V |
On-state resistance | 25mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 197nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 70ns |