Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -8V | -6A | 1.6W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -8V | -6A | 1.6W | SOT23
EB Kodas: EB1001170580
Gamintojo prekės kodas: SI2329DS-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI2329DS-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,82 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -8V |
Drain current | -6A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±5V |
On-state resistance | 30mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 11.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |