Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -8V | -6A | 1.6W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -8V | -6A | 1.6W | SOT23
EB Kods: EB1001170580
Ražotāja preces kods: SI2329DS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2329DS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,82 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -8V |
Drain current | -6A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±5V |
On-state resistance | 30mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 11.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |