Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -1.3A | 1.1W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -1.3A | 1.1W | SOT23
EB Kodas: EB817149122
Gamintojo prekės kodas: SI2309CDS-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI2309CDS-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
1,12 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -1.3A |
Power dissipation | 1.1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.45Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |