Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -1.3A | 1.1W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -1.3A | 1.1W | SOT23
EB Koodi: EB817149122
Valmistajan tuotekoodi: SI2309CDS-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI2309CDS-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,12 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -1.3A |
Power dissipation | 1.1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.45Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |