Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -0.9A | Idm: -4A | 0.806W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -0.9A | Idm: -4A | 0.806W | SOT23
EB Kodas: EB1019333163
Gamintojo prekės kodas: ZXMP6A13FQTA
Gamintojo prekės kodas:
ZXMP6A13FQTA
Gamintojas, prekės ženklas: DIODES INCORPORATED
Gamintojas, prekės ženklas:
DIODES INCORPORATED
0,83 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -900mA |
Pulsed drain current | -4A |
Power dissipation | 0.806W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.6Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.9nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |