Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -6.4A | Idm: -50A | 2.5W | SO8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -6.4A | Idm: -50A | 2.5W | SO8
EB Kodas: EB2016408938
Gamintojo prekės kodas: SI4435DYTRPBF
Gamintojo prekės kodas:
SI4435DYTRPBF
Gamintojas, prekės ženklas: INFINEON TECHNOLOGIES
Gamintojas, prekės ženklas:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,19 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -6.4A |
Pulsed drain current | -50A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 20mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |