Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -6.4A | Idm: -50A | 2.5W | SO8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -6.4A | Idm: -50A | 2.5W | SO8
EB Kods: EB2016408938
Ražotāja preces kods: SI4435DYTRPBF
Ražotāja preces kods:
SI4435DYTRPBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,19 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -6.4A |
Pulsed drain current | -50A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 20mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |