Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -4A | 1.6W | SuperSOT-6
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -4A | 1.6W | SuperSOT-6
EB Kodas: EB1543259504
Gamintojo prekės kodas: FDC658AP
Gamintojo prekės kodas:
FDC658AP
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
0,83 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -4A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SuperSOT-6 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 75mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 8.1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | logic level |