Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.2A | 1.8W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.2A | 1.8W | SOT23
EB Kodas: EB561930759
Gamintojo prekės kodas: SI2307CDS-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI2307CDS-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,78 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -2.2A |
Power dissipation | 1.8W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 138mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 6.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |