Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.2A | 1.8W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.2A | 1.8W | SOT23
EB Kods: EB561930759
Ražotāja preces kods: SI2307CDS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2307CDS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,78 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -2.2A |
Power dissipation | 1.8W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 138mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 6.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |