Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -100mA | Idm: -0.4A | 200mW
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -100mA | Idm: -0.4A | 200mW
EB Kodas: EB263732005
Gamintojo prekės kodas: RU1C001ZPTL
Gamintojo prekės kodas:
RU1C001ZPTL
Gamintojas, prekės ženklas: ROHM SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,40 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -100mA |
Pulsed drain current | -0.4A |
Power dissipation | 0.2W |
Case | SOT323F |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 6.8Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |