Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -100mA | Idm: -0.4A | 200mW
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -100mA | Idm: -0.4A | 200mW
EB Kods: EB263732005
Ražotāja preces kods: RU1C001ZPTL
Ražotāja preces kods:
RU1C001ZPTL
Ražotājs, zīmols: ROHM SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,28 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -0.1A |
Pulsed drain current | -400mA |
Power dissipation | 0.2W |
Case | SOT323F |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 6.8Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |
Version | ESD |