Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -12V | -5.2A | Idm: -20A | 1.1W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -12V | -5.2A | Idm: -20A | 1.1W | SOT23
EB Kodas: EB196696419
Gamintojo prekės kodas: SI2333DDS-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI2333DDS-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,55 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -12V |
| Drain current | -5.2A |
| Pulsed drain current | -20A |
| Power dissipation | 1.1W |
| Case | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 0.15Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 35nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |