Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | unipolar | -12V | -5.2A | Idm: -20A | 1.1W | SOT23

EB Kods: EB196696419

Ražotāja preces kods: 
SI2333DDS-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

0,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12V
Drain current-5.2A
Pulsed drain current-20A
Power dissipation1.1W
CaseSOT23
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.15Ω
MountingSMD
Gate charge35nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced