Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3A | Idm: -12A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3A | Idm: -12A
EB Kodas: EB1259317772
Gamintojo prekės kodas: SI2319DS-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI2319DS-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
1,04 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -40V |
| Drain current | -3A |
| Pulsed drain current | -12A |
| Power dissipation | 1.25W |
| Case | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 17nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |