Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3A | Idm: -12A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3A | Idm: -12A
EB Koodi: EB1259317772
Valmistajan tuotekoodi: SI2319DS-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI2319DS-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,04 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -40V |
Drain current | -3A |
Pulsed drain current | -12A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.13Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 17nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |