Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -3A | Idm: -12A

EB Koodi: EB1259317772

Valmistajan tuotekoodi: 
SI2319DS-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

1,04 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-3A
Pulsed drain current-12A
Power dissipation1.25W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.13Ω
MountingSMD
Gate charge17nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced