Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -156A | Idm: -400A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -156A | Idm: -400A
EB Kodas: EB357261424
Gamintojo prekės kodas: SIRA99DP-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SIRA99DP-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
3,90 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30V |
| Drain current | -156A |
| Pulsed drain current | -400A |
| Power dissipation | 66.6W |
| Case | PowerPAK® SO8 |
| Gate-source voltage | -20...16V |
| On-state resistance | 2.65mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 260nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |