Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | Trench | unipolar | -20V | -700mA | Idm: -2.8A
Transistor: P-MOSFET | Trench | unipolar | -20V | -700mA | Idm: -2.8A
EB Kodas: EB1207599885
Gamintojo prekės kodas: PMZ350UPEYL
Gamintojo prekės kodas:
PMZ350UPEYL
Gamintojas, prekės ženklas: NEXPERIA
Gamintojas, prekės ženklas:
NEXPERIA
0,40 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -0.7A |
Pulsed drain current | -2.8A |
Case | DFN1006-3 |
Case | SOT883 |
On-state resistance | 645mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.9nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |