Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 650V | 26A | Idm: 90A | 350W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 650V | 26A | Idm: 90A | 350W
EB Kodas: EB464807346
Gamintojo prekės kodas: WMJ53N65F2
Gamintojo prekės kodas:
WMJ53N65F2
Gamintojas, prekės ženklas: WAYON
Gamintojas, prekės ženklas:
WAYON
13,34 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650V |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 90A |
| Power dissipation | 350W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 78mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 58nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |