Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 650V | 26A | Idm: 90A | 350W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 650V | 26A | Idm: 90A | 350W
EB Kods: EB464807346
Ražotāja preces kods: WMJ53N65F2
Ražotāja preces kods:
WMJ53N65F2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
13,49 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650V |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 90A |
| Power dissipation | 350W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 78mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 58nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |