Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 4.1A | Idm: 15A | 100W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.7kV | 4.1A | Idm: 15A | 100W
EB Kodas: EB1697330651
Gamintojo prekės kodas: S1M1000170J
Gamintojo prekės kodas:
S1M1000170J
Gamintojas, prekės ženklas: SMC DIODE SOLUTIONS
Gamintojas, prekės ženklas:
SMC DIODE SOLUTIONS
4,96 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Drain current | 4.1A |
| Pulsed drain current | 15A |
| Power dissipation | 100W |
| Case | D2PAK-7 |
| Gate-source voltage | -5...20V |
| On-state resistance | 1.9Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 10nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |