Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 84A | Idm: 295A | 715W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 84A | Idm: 295A | 715W
EB Kodas: EB1018007413
Gamintojo prekės kodas: DIF120SIC028
Gamintojo prekės kodas:
DIF120SIC028
Gamintojas, prekės ženklas: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
35,05 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 84A |
| Pulsed drain current | 295A |
| Power dissipation | 715W |
| Case | TO247-4 |
| Gate-source voltage | -5...20V |
| On-state resistance | 26mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 373nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |