Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 84A | Idm: 295A | 715W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 84A | Idm: 295A | 715W
EB Код: EB1018007413
Код товара производителя: DIF120SIC028
Код товара производителя:
DIF120SIC028
Производитель, бренд: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Производитель, бренд:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
35,05 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 84A |
Pulsed drain current | 295A |
Power dissipation | 715W |
Case | TO247-4 |
Gate-source voltage | -5...20V |
On-state resistance | 26mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 373nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |