Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 50A | Idm: 140A | 333W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 50A | Idm: 140A | 333W
EB Kodas: EB1243956864
Gamintojo prekės kodas: G3R40MT12D
Gamintojo prekės kodas:
G3R40MT12D
Gamintojas, prekės ženklas: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
GeneSiC SEMICONDUCTOR
22,66 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | G3R™ |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 50A |
| Pulsed drain current | 140A |
| Power dissipation | 333W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -5...15V |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 106nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |