Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 100A | 278W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 100A | 278W
EB Kodas: EB1276648694
Gamintojo prekės kodas: DIW120SIC059-AQ
Gamintojo prekės kodas:
DIW120SIC059-AQ
Gamintojas, prekės ženklas: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
30,59 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 46A |
Pulsed drain current | 100A |
Power dissipation | 278W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -4...18V |
On-state resistance | 65mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 121nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |