Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 33A | Idm: 85A | 250W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 33A | Idm: 85A | 250W
EB Kodas: EB1078944992
Gamintojo prekės kodas: B2M065120Z
Gamintojo prekės kodas:
B2M065120Z
Gamintojas, prekės ženklas: BASiC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
BASiC SEMICONDUCTOR
16,15 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 33A |
Pulsed drain current | 85A |
Power dissipation | 250W |
Case | TO247-4 |
Gate-source voltage | -4...18V |
On-state resistance | 65mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 60nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |