Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 80A | 207W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 80A | 207W
EB Kodas: EB1947657666
Gamintojo prekės kodas: G3R75MT12K
Gamintojo prekės kodas:
G3R75MT12K
Gamintojas, prekės ženklas: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
GeneSiC SEMICONDUCTOR
21,02 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | G3R™ |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 29A |
| Pulsed drain current | 80A |
| Power dissipation | 207W |
| Case | TO247-4 |
| Gate-source voltage | -5...15V |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 54nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |