Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 80A | 207W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 80A | 207W
EB Код: EB1947657666
Код товара производителя: G3R75MT12K
Код товара производителя:
G3R75MT12K
Производитель, бренд: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Производитель, бренд:
GeneSiC SEMICONDUCTOR
21,02 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | G3R™ |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 29A |
Pulsed drain current | 80A |
Power dissipation | 207W |
Case | TO247-4 |
Gate-source voltage | -5...15V |
On-state resistance | 75mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 54nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |