Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 91A | 200W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 91A | 200W
EB Kodas: EB909344779
Gamintojo prekės kodas: MSC080SMA120B
Gamintojo prekės kodas:
MSC080SMA120B
Gamintojas, prekės ženklas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojas, prekės ženklas:
MICROCHIP TECHNOLOGY
22,99 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje 6 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 91A |
| Power dissipation | 200W |
| Case | TO247-3 |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 64nC |
| Kind of channel | enhanced |