Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 91A | 200W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 91A | 200W
EB Kood: EB909344779
Tootja kauba kood: MSC080SMA120B
Tootja kauba kood:
MSC080SMA120B
Tootja, kaubamärk: MICROCHIP TECHNOLOGY
Tootja, kaubamärk:
MICROCHIP TECHNOLOGY
23,29 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos 6 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 26A |
Pulsed drain current | 91A |
Power dissipation | 200W |
Case | TO247-3 |
On-state resistance | 0.1Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 64nC |
Kind of channel | enhanced |