Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 15A | Idm: 66A | 156W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 15A | Idm: 66A | 156W
EB Kodas: EB385299500
Gamintojo prekės kodas: S2M0120120K
Gamintojo prekės kodas:
S2M0120120K
Gamintojas, prekės ženklas: SMC DIODE SOLUTIONS
Gamintojas, prekės ženklas:
SMC DIODE SOLUTIONS
4,84 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 15A |
Pulsed drain current | 66A |
Power dissipation | 156W |
Case | TO247-4 |
Gate-source voltage | -5...20V |
On-state resistance | 212mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 29.6nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |