Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 100A | Idm: 260A | 600W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 100A | Idm: 260A | 600W
EB Kodas: EB1129940394
Gamintojo prekės kodas: DIW120SIC023-AQ
Gamintojo prekės kodas:
DIW120SIC023-AQ
Gamintojas, prekės ženklas: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
99,75 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 100A |
Pulsed drain current | 260A |
Power dissipation | 600W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -4...18V |
On-state resistance | 29mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 45nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |