Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | RF | 20V | 1A | 3W | SOT89 | Pout: 630mW
Transistor: N-MOSFET | unipolar | RF | 20V | 1A | 3W | SOT89 | Pout: 630mW
EB Kodas: EB1805733810
Gamintojo prekės kodas: 2SK3475(TE12L,F)
Gamintojo prekės kodas:
2SK3475(TE12L,F)
Gamintojas, prekės ženklas: TOSHIBA
Gamintojas, prekės ženklas:
TOSHIBA
3,01 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Kind of transistor | RF |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 1A |
Power dissipation | 3W |
Case | SOT89 |
Gate-source voltage | ±10V |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Frequency | 520MHz |
Kind of channel | depleted |
Output power | 630mW |
Electrical mounting | SMT |
Open-loop gain | 14.9dB |
Efficiency | 45% |