Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | RF | 20V | 1A | 3W | SOT89 | Pout: 630mW

EB Koodi: EB1805733810

Valmistajan tuotekoodi: 
2SK3475(TE12L,F)

Valmistaja, merkki: 
TOSHIBA

 3,01 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Kind of transistorRF
Drain-source voltage20V
Drain current1A
Power dissipation3W
CaseSOT89
Gate-source voltage±10V
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Frequency520MHz
Kind of channeldepleted
Output power630mW
Electrical mountingSMT
Open-loop gain14.9dB
Efficiency45%