Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 5.3A | Idm: 20A | 2W | SO8
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 5.3A | Idm: 20A | 2W | SO8
EB Kodas: EB390127605
Gamintojo prekės kodas: SI9945BDY-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SI9945BDY-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
1,00 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 5.3A |
Pulsed drain current | 20A |
Power dissipation | 2W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 58mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 20nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |