Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 5.3A | Idm: 20A | 2W | SO8

EB Kods: EB390127605

Ražotāja preces kods: 
SI9945BDY-T1-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 1,00 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current5.3A
Pulsed drain current20A
Power dissipation2W
CaseSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance58mΩ
MountingSMD
Gate charge20nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced