Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 5.3A | Idm: 20A | 2W | SO8
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 5.3A | Idm: 20A | 2W | SO8
EB Kods: EB390127605
Ražotāja preces kods: SI9945BDY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI9945BDY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,54 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60V |
| Drain current | 5.3A |
| Pulsed drain current | 20A |
| Power dissipation | 2W |
| Case | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 58mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 20nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |