Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 300mA | Idm: 0.8A | 350mW | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 300mA | Idm: 0.8A | 350mW | SOT23
EB Kodas: EB1201373918
Gamintojo prekės kodas: DMN601K-7
Gamintojo prekės kodas:
DMN601K-7
Gamintojas, prekės ženklas: DIODES INCORPORATED
Gamintojas, prekės ženklas:
DIODES INCORPORATED
0,0474 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.3A |
Pulsed drain current | 0.8A |
Power dissipation | 0.35W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 3Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |