Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 4.1A | Idm: 25A | 1.8W | SOT223
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 4.1A | Idm: 25A | 1.8W | SOT223
EB Kodas: EB1366730205
Gamintojo prekės kodas: DMN3032LE-13
Gamintojo prekės kodas:
DMN3032LE-13
Gamintojas, prekės ženklas: DIODES INCORPORATED
Gamintojas, prekės ženklas:
DIODES INCORPORATED
0,82 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 4.1A |
Pulsed drain current | 25A |
Power dissipation | 1.8W |
Case | SOT223 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 29mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |