Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 4.1A | Idm: 25A | 1.8W | SOT223

EB Kods: EB1366730205

Ražotāja preces kods: 
DMN3032LE-13

Ražotājs, zīmols: 
DIODES INCORPORATED

 0,80 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current4.1A
Pulsed drain current25A
Power dissipation1.8W
CaseSOT223
Gate-source voltage±20V
On-state resistance29mΩ
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced