Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 21A | Idm: 40A | 15W | HSMT8
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 21A | Idm: 40A | 15W | HSMT8
EB Kodas: EB830388685
Gamintojo prekės kodas: RQ3E100BNTB
Gamintojo prekės kodas:
RQ3E100BNTB
Gamintojas, prekės ženklas: ROHM SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,42 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 21A |
Pulsed drain current | 40A |
Power dissipation | 15W |
Case | HSMT8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 15.3mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |