Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 21A | Idm: 40A | 15W | HSMT8

EB Kods: EB830388685

Ražotāja preces kods: 
RQ3E100BNTB

Ražotājs, zīmols: 
ROHM SEMICONDUCTOR

 0,42 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current21A
Pulsed drain current40A
Power dissipation15W
CaseHSMT8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance15.3mΩ
MountingSMD
Gate charge22nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced