Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 3A | Idm: 121A | 1.2W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 3A | Idm: 121A | 1.2W | SOT23
EB Kodas: EB1712493579
Gamintojo prekės kodas: YJL03G10A
Gamintojo prekės kodas:
YJL03G10A
Gamintojas, prekės ženklas: YANGJIE TECHNOLOGY
Gamintojas, prekės ženklas:
YANGJIE TECHNOLOGY
0,0941 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 3A |
Pulsed drain current | 121A |
Power dissipation | 1.2W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.14Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 4.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |