Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 60V | 2A | Idm: 9A | 2W
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 60V | 2A | Idm: 9A | 2W
EB Kodas: EB1665378798
Gamintojo prekės kodas: SQ2308CES-T1_GE3
Gamintojo prekės kodas:
SQ2308CES-T1_GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,95 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60V |
| Drain current | 2A |
| Pulsed drain current | 9A |
| Power dissipation | 2W |
| Case | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.325Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 3.5nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |