Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 60V | 2A | Idm: 9A | 2W
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 60V | 2A | Idm: 9A | 2W
EB Kods: EB1665378798
Ražotāja preces kods: SQ2308CES-T1_GE3
Ražotāja preces kods:
SQ2308CES-T1_GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,18 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60V |
| Drain current | 2A |
| Pulsed drain current | 9A |
| Power dissipation | 2W |
| Case | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.325Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 3.5nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |