Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 30V | 24.5A | Idm: 70A
Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 30V | 24.5A | Idm: 70A
EB Kodas: EB309134958
Gamintojo prekės kodas: SIRA18ADP-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SIRA18ADP-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,43 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | TrenchFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30V |
| Drain current | 24.5A |
| Pulsed drain current | 70A |
| Power dissipation | 9.4W |
| Case | PowerPAK® SO8 |
| Gate-source voltage | -16...20V |
| On-state resistance | 13.5mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 21.5nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |