Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | CoolMOS™ G7 | unipolar | 600V | 20A | Idm: 54A
Transistor: N-MOSFET | CoolMOS™ G7 | unipolar | 600V | 20A | Idm: 54A
EB Kodas: EB1507165921
Gamintojo prekės kodas: IPDD60R125G7XTMA1
Gamintojo prekės kodas:
IPDD60R125G7XTMA1
Gamintojas, prekės ženklas: INFINEON TECHNOLOGIES
Gamintojas, prekės ženklas:
INFINEON TECHNOLOGIES
6,83 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | CoolMOS™ G7 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600V |
| Drain current | 20A |
| Pulsed drain current | 54A |
| Power dissipation | 120W |
| Case | PG-HDSOP-10-1 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.125Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 27nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |