Tulkot latviski
Transistor: N-JFET | unipolar | 25V | 30mA | 0.225W | SOT23 | Igt: 10mA
Transistor: N-JFET | unipolar | 25V | 30mA | 0.225W | SOT23 | Igt: 10mA
EB Kodas: EB1737507259
Gamintojo prekės kodas: MMBFJ309LT1G
Gamintojo prekės kodas:
MMBFJ309LT1G
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
0,47 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-JFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 25V |
Drain current | 30mA |
Power dissipation | 0.225W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | 25V |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Gate current | 10mA |